| 型号： | NX1029X,115 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | NXP Semiconductors | 描述： | MOSFET DUAL N/P-CH SOT666 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| NX1029X,115 PDF |  |
| 标准包装 | 4,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | * |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 410mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | - |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | - |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | - |
| 功率 - 最大 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 供应商设备封装 | SOT-666 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NX1029X115 |